| 发明名称 | 氮化物发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。氮化物半导体发光器件包括用于生长氮化镓基半导体材料的衬底；形成在衬底上的n型氮化物半导体层；有源层，形成在n型氮化物半导体层上，以使n型氮化物半导体层的预定部分露出；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；形成在p型氮化物半导体层上的透明电极层，由此提供了与p型氮化物半导体层的欧姆接触；透明电极层上为Ta/Au的双层形式的p侧键合焊盘；以及n型氮化物半导体层的露出部分上为Ta/Au的双层形式的n侧电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1645633A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410045889.1 | 申请日期 | 2004.05.25 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 鲁载哲;曹相德;蔡昇完 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，包括：用于生长氮化镓基半导体材料的衬底；形成在衬底上的n型氮化物半导体层；形成在n型氮化物半导体层上的有源层，以使n型氮化物半导体层的预定部分露出；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；形成在p型氮化物半导体层上的透明电极层，由此提供了与p型氮化物半导体层的欧姆接触；透明电极层上为Ta/Au的双层形式的p侧键合焊盘；以及n型氮化物半导体层的露出部分上为Ta/Au的双层形式的n侧电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||