发明名称 |
MRAM制程中穿隧接合帽盖层、穿隧接合硬罩幕及穿隧接合堆栈种子层之材料组合 |
摘要 |
本发明为一种包含了位于磁性堆栈(14)上之一帽盖层(140)与硬罩幕层(142)之电阻性记忆装置(110)及其制造方法,其中该帽盖层(140)或该硬罩幕层(142)之其一乃包含WN;一位于该磁性堆栈(14)下方的种子层(136)亦可包含WN。使用材料WN改善了在制作过程中蚀刻制程的选择性。 |
申请公布号 |
CN1647206A |
申请公布日期 |
2005.07.27 |
申请号 |
CN03808681.6 |
申请日期 |
2003.04.17 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
R·勒斯奇纳;G·斯托贾科维;X·J·宁 |
分类号 |
G11C11/15;G11C11/16 |
主分类号 |
G11C11/15 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;张志醒 |
主权项 |
1.一种电阻性半导体记忆装置的制造方法,包含:提供一工作部件;形成一第一内层级介电层于该工作部件上;配置复数第一导线于该第一内层级介电层内;形成一种子层于该第一导线上;形成一第一磁性层于该种子层上;形成一穿隧阻障层于该第一磁性层上;沉积一第二磁性层于该穿隧阻障层上;沉积一帽盖层于该第二磁性堆栈层上;沉积一硬罩幕材料于该帽盖层上;图形化该硬罩幕材料,以形成一硬罩幕;以及使用所图形化之硬罩幕来图形化该帽盖层、该第二磁性层与该穿隧阻障层,而形成复数个穿隧接合,其中沉积一帽盖层、沉积一硬罩幕材料或沉积一种子层之其一乃包含沉积WN。 |
地址 |
德国慕尼黑 |