| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及使用于其中的耐热性粘合带 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，至少包括：在外部焊垫侧贴合了耐热性粘合带(20)的金属制引线框(10)的裸片焊垫(11c)上接合半导体芯片(15)的搭载工序、使用密封树脂(17)对半导体芯片一侧进行单侧密封的密封工序、将被密封的构造物(21)切割成单个的半导体装置(21a)的切割工序，其特征在于，上述耐热性粘合带(20)至少由基材层和含有脱模剂的粘合剂层构成。根据本发明可以提供使用耐热性粘合带可有效地防止密封工序中的树脂泄漏，且贴合的粘合带不易影响之后的工序的半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1645580A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410081916.0 | 申请日期 | 2004.12.29 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 近藤广行;高野均;寺岛正;下川大辅;谷本正一 |
| 分类号 | H01L21/56;H01L21/58;H01L21/52 | 主分类号 | H01L21/56 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，至少包括：在外部焊垫侧贴合了耐热性粘合带的金属制引线框的裸片焊垫上接合半导体芯片的搭载工序、使用密封树脂对半导体芯片一侧进行单侧密封的密封工序、将被密封的构造物切割成单个的半导体装置的切割工序，其特征在于，所述耐热性粘合带至少由基材层和含有脱模剂的粘合剂层构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||