用电子束监测工艺条件变化的监测系统和监测方法

摘要

光刻过程中为精确监测产品晶片的曝光条件，即曝光能量和聚焦的变化，针对曝光条件变化，通过获取尺寸特征量变化倾向相互不同的第1和第2图形部分的电子束图像，能算出曝光条件变化。之后，计算第1和第2图形部分的各个尺寸特征量，并把这些尺寸特征量加到在曝光条件与尺寸特征量之间建立逻辑链接用的模式上。由此提供能输出曝光能量和聚焦精确变化的工艺条件变化监测系统和监测方法。

主权项

1.工艺条件变化监测系统，设有监测装置，用光刻胶图形的电子束图像监测曝光条件变化，包括：图像检测装置，用于获得所述光刻胶图形的电子束图像：尺寸特征量检测装置，针对曝光条件变化时，用于检测包括光刻胶图形的边缘宽度和/或图形宽度的、尺寸特征量变化顷向相互不同的第1和第2图形部分的各个尺寸特征量；存储器，用于存储在曝光条件和尺寸特征量之间建立逻辑链接用的模式；和计算装置，将所述尺寸特征量检测装置已获取的第1和第2图形部分的那些尺寸特征量加到所述模式，计算曝光条件变化；当聚焦值偏差在其“+”向时，第1图形部分设置成使相应的边缘宽度将增大的图形；当聚焦值偏差在其“-”向时，第2图形部分设置成使相应边缘宽度将增大的图形。