| 发明名称 | 具有双浮置闸极存储晶胞的集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，包含：一第一双浮置闸极存储晶胞，所述晶胞具有与一第二浮置闸极隔绝的一第一浮置闸极，其目的在于储存至少一个位元的数据，一第二双浮置闸极存储晶胞，所述晶胞具有与一第四浮置闸极隔绝的一第三浮置闸极，其目的在于储存至少一个位元的数据，其中第一双浮置闸极存储晶胞与第二双浮置闸极存储晶胞共同分享一个控制闸极，而其中第一双浮置闸极存储晶胞的第二浮置闸极与第二双浮置闸极存储晶胞的第三浮置闸极共同分享一个氧化层，并且，其中氧化层从控制闸极中电性隔绝了第二与第三浮置闸极。 | ||
| 申请公布号 | CN1212668C | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN02120020.3 | 申请日期 | 2002.05.15 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 徐隽 |
| 分类号 | H01L27/112;H01L27/10;H01L21/82;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/112 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，其特征在于，包括：一第一双浮置闸极存储晶胞，该第一双浮置闸极存储晶胞具有与一第二浮置闸极隔绝的一第一浮置闸极，以储存至少一个位元的数据；以及一第二双浮置闸极存储晶胞，该第一双浮置闸极存储晶胞具有与一第四浮置闸极隔绝的一第三浮置闸极，以储存至少一个位元的数据；其中该第一双浮置闸极存储晶胞与该第二双浮置闸极存储晶胞共同分享一个控制闸极；其中该第一双浮置闸极存储晶胞的该第二浮置闸极与该第二双浮置闸极存储晶胞的该第三浮置闸极共同分享一个氧化层；并且其中该氧化层从控制闸极中电性隔绝该第二与第三浮置闸极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||