| 发明名称 | 使用激光烧蚀形成电子和光学元件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了形成电子和/或光学元件的方法。该方法包括：(a)提供具有聚合物层的电子基板，其中该聚合物层包含具有式(R<SUP>1</SUP>SiO<SUB>1.5</SUB>)的单元的聚合物，其中R<SUP>1</SUP>是取代或未取代有机基团；和(b)通过激光烧蚀除去聚合物层的选定部分。本发明在电子和光电子产业中具有特别的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1645988A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN200410082138.7 | 申请日期 | 2004.12.21 |
| 申请人 | 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 | 发明人 | M·L·莫伊尼汉;C·J·科兰格洛;J·G·谢尔诺特;B·M·西卡德;N·帕格里诺 |
| 分类号 | H05K3/06;H05K3/00 | 主分类号 | H05K3/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.形成电子和/或光学元件的方法，该方法包括：(a)提供包含聚合物层的电子基板，其中该聚合物层包含含有式(R1SiO1.5)的单元的聚合物，其中R1是取代或未取代有机基团；和(b)通过激光烧蚀除去聚合物层的选定部分。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||