| 发明名称 | 位线结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明系有关于一种位线结构，这种位线结构系具有表面位线(DLx)及埋入位线(SLx)，其中，埋入位线(SLx)系形成于具有渠沟隔离层(6)之渠沟中，且，系经由渠沟上部区域之覆盖连接层(12)及自对准接头层(13)接触掺杂区域(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN1647280A | 申请公布日期 | 2005.07.27 |
| 申请号 | CN03807618.7 | 申请日期 | 2003.08.08 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·卡科斯奇科;D·舒姆;G·坦佩 |
| 分类号 | H01L27/112;H01L27/115 | 主分类号 | H01L27/112 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种位线结构，包括：一表面位线(DLx)，形成于一衬底表面上方，藉以连接复数第一掺杂区域(D)；以及一埋入位线(SLx)，形成于一衬底(1，2，3)内部，藉以连接复数第二掺杂区域(S；10)，其方法系包括：形成一渠沟(T)于该衬底(1，2，3)中；形成一渠沟隔离层(6)于该渠沟(T)之一渠沟表面；形成该埋入位线(SLx，7)于该渠沟隔离层(6)上该渠沟(T)之一下部区域；形成一覆盖隔离层(8，8A，9)于该埋入位线(SLx)上该渠沟(T)之一第一较上局部区域；形成复数覆盖连接层(12)于该埋入位线(SLx)上该渠沟(T)之一第二较上局部区域；以及形成复数自对准接头层(13)于该衬底上区域，该等覆盖连接层(12)系经由该等接头层(13)电性连接至该等第二掺杂区域(S，10)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||