一种制备零收缩率低温共烧陶瓷多层基板的工艺

摘要

一种制备零收缩率低温共烧陶瓷多层基板的工艺，其技术特点是在基板烧结前，将一对Al₂O₃陶瓷生片分别叠压在基板毛坯的上下表面，然后经热压、除胶，最后烧结而成。由于Al₂O₃烧结成瓷的温度高于基板的烧结温度，因此在烧结过程中Al₂O₃生片不收缩，不成瓷。利用Al₂O₃生片和基板间的摩擦力来阻止烧结时基板在X-Y方向的收缩。这样制作的低温共烧陶瓷多层基板在X-Y方向的收缩率为0，其收缩率误差可控制在0.1％以内，从而大大提高了外部导体图形的布线精度。由于零收缩率低温共烧陶瓷多层基板在烧制时收缩率很小，可以为封装工艺提供精确的导体图形，提高了封装的可靠性和成品率，其在细节距电子封装领域应用将非常广泛。

主权项

1.一种制备零收缩率低温共烧陶瓷多层基板的工艺，该工艺按如下步骤进行：(1)低温共烧陶瓷粉末与有机粘结剂，溶剂，增塑剂按一定比例混合，经球磨后，配成流延浆料；(2)流延法将浆料流延成生片，生片经剪裁、冲孔；(3)导体浆料在生片上印刷通孔和布线图形；(4)将多层生片依次叠层后，在其上、下表面各放置一片Al2O3陶瓷生片，然后在温度80℃-100℃，压强20MPa～25MPa下热压；(5)经热压后的基板在400～450℃下脱胶，去掉基板中的有机粘结剂，最后在850℃～900℃大气氛围下烧结；(6)烧结后将Al2O3陶瓷生片从基板上去除。