利用多重曝光形成孤立线的方法

摘要

本发明公开了一种利用多重曝光形成孤立线的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底形成一光阻层，以图案光罩于上述光阻层定义出一第一线条图案，将上述图案光罩移动一特定距离，使得上述图案光罩于上述光阻层定义出与上述第一线条图案相同的第二线条图案，而上述第一线条图案和上述第二线条图案会形成一线条重叠图案且上述线条重叠图案有一既定线宽，以及进行一显影制程，使上述线条重叠图案显现于上述光阻层。

主权项

1.一种利用多重曝光形成孤立线的方法，其特征在于：包括下列步骤：提供一半导体基底；于上述半导体基底形成一光阻层；以图案光罩于上述光阻层定义出一第一线条图案；将上述图案光罩移动一特定距离，使得上述图案光罩于上述光阻层定义出与上述第一线条图案相同的第二线条图案，而上述第一线条图案和上述第二线条图案会形成一线条重叠图案，且上述线条重叠图案有一既定线宽；以及进行一显影制程，使上述线条重叠图案显现于上述光阻层。