| 发明名称 |
INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050076601(A) |
申请公布日期 |
2005.07.26 |
| 申请号 |
KR20040111716 |
申请日期 |
2004.12.24 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO., LTD. |
发明人 |
ONDA MASAHITO;KUBO HIROTOSHI;MIYAHARA SHOUJI;ISHIDA HIROYASU;SAITO HIROAKI |
| 分类号 |
H01L29/417;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/72;H01L29/739;H01L29/76;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/72 |
主分类号 |
H01L29/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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