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发明名称 CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING BULK BIAS VOLTAGE INHIBITING LATCH-UP USING NEGATIVE VOLTAGE AND GROUND VOLTAGE AS BULK BIAS VOLTAGE
摘要
申请公布号 KR100505597(B1) 申请公布日期 2005.07.26
申请号 KR19980009043 申请日期 1998.03.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 SON, TAE SIK;KIM, BU JIN;KWAK, BYEONG HEON;LEE, JIN SEOK
分类号 G11C11/407;(IPC1-7):G11C11/407 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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