| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO PREVENT DEVICE CHARACTERISTIC FROM BEING DETERIORATED BY LEAKAGE CURRENT AND BREAKDOWN OF CAPACITOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100505452(B1) |
申请公布日期 |
2005.07.25 |
| 申请号 |
KR19970077959 |
申请日期 |
1997.12.30 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
KIM, MIN SU;LIM, CHAN;LEE, GIL HO |
| 分类号 |
H01L27/06;(IPC1-7):H01L27/06 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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