| 主权项 |
1.一种制造一半导体装置的方法,其包括下列步骤:于一半导体基板之上依序形成一闸极绝缘膜与一闸极电极导体层;于该导体层上形成一多层硬光罩层,其中该多层硬光罩层中每一层皆系由互不相同之材料所构成;利用一闸极电极光罩对该硬光罩层、该导体层以及该闸极绝缘膜进行蚀刻,用以形成一由一闸极绝缘膜图案、一闸极电极以及一硬光罩层图案所组成之堆叠结构;于该堆叠结构的侧护壁之上形成一绝缘膜分隔体;于整个表面上形成一层间绝缘膜;利用一陆地插塞端子蚀刻光罩对该层间绝缘膜进行蚀刻,以便形成一陆地插塞端子孔,用以裸露出该半导体基板;于整个表面上形成陆地插塞的导体层,用以填充该陆地插塞端子孔;以及对该陆地插塞的导体层进行平整处理,以便形成陆地插塞。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该硬光罩层包括一由氮化物膜/氧化物膜/氮化物膜所组成的堆叠结构。图式简单说明:图1a至1d为用以制造一半导体装置之惯用方法的剖面图。图2a至2d为根据本发明用以制造一半导体装置之方法的剖面图 |
