| 主权项 |
1.一种处理记忆体事件之方法,包含下列步骤:决定一第一记忆体事件及一第二记忆体事件被导向一相同的记忆体储存单元,且被导向该相同的记忆体储存单元之不同的分页;以及回应对该第一记忆体事件的处理,而要求记忆体控制器关闭该第一记忆体事件被导向的一第一分页。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该决定步骤包含下列步骤:将该第一记忆体事件的一第一位址解码,以便得到一第一储存单元选择及一第一分页选择;将该第一记忆体事件的一第二位址解码,以便得到一第二储存单元选择及一第二分页选择;以及决定该第一储存单元选择及该第二储存单元选择被导向相同的记忆体储存单元且该第一分页选择及该第二分页选择被导向该相同的记忆体储存单元之不同的分页。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该决定步骤包含下列步骤:将该第一记忆体事件的一第一位址解码,以便得到一第一排选择、一第一储存单元选择、及一第一分页选择;将该第二记忆体事件的一第二位址解码,以便得到一第二排选择、一第二储存单元选择、及一第二分页选择;以及决定该第一储存单元选择及该第二储存单元选择被导向相同的记忆体储存单元且该第一分页选择及该第二分页选择被导向该相同的记忆体储存单元之不同的分页。4.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步骤:将一第一记忆体要求提供给该记忆体控制器,该第一记忆体要求系要求该记忆体控制器处理该第一记忆体事件,并要求该记忆体控制器在处理该第一记忆体事件之后关闭该第一分页;以及在该第一记忆体要求之后将一第二记忆体要求提供给该记忆体控制器,该第二记忆体要求系要求该记忆体控制器处理该第二记忆体事件。5.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步骤:将一第一记忆体要求提供给该记忆体控制器,该第一记忆体要求系要求该记忆体控制器处理该第一记忆体事件,并要求该记忆体控制器在处理该第二记忆体事件之前先关闭该第一分页;以及将一第二记忆体要求提供给该记忆体控制器,该第二记忆体要求系要求该记忆体控制器处理该第二记忆体事件。6.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步骤:要求该记忆体控制器处理该第一记忆体事件且在处理该第一记忆体事件之后关闭该第一分页;以及在要求该记忆体控制器处理该第一记忆体事件之后,要求该记忆体控制器处理该第二记忆体事件。7.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步骤:要求该记忆体控制器处理该第一记忆体事件且在处理该第二记忆体事件之前先关闭该第一分页;以及要求该记忆体控制器处理该第二记忆体事件。8.一种处理记忆体事件之方法,包含下列步骤:决定一第一记忆体事件与将要在该第一记忆体事件之后被处理的一个或多个记忆体事件之间是否有一预定关系;以及回应该第一记忆体事件与该等一个或多个记忆体事件之间有该预定关系之决定,而要求一记忆体控制器将用来满足该第一记忆体事件的一记忆体装置预充电。9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含下列步骤:回应该第一记忆体事件与该等一个或多个记忆体事件之间并没有该预定关系之决定,而要求该记忆体控制器不要将用来满足该第一记忆体事件的该记忆体装置预充电。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该决定步骤包含下列步骤:自该第一记忆体事件的一第一位址决定一第一分页选择;自该等一个或多个记忆体事件的位址决定若干第二分页选择;以及回应该第一分页选择与该第二分页选择之间有一预定关系,而决定该第一事件与该等一个或多个记忆体事件之间有该预定关系。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该决定步骤包含下列步骤:自该第一记忆体事件的一第一实体位址决定一第一分页选择;自该等一个或多个记忆体事件的实体位址决定若干第二分页选择;以及回应该第一分页选择与该第二分页选择之间有一预定关系,而决定该第一事件与该等一个或多个记忆体事件之间并没有该预定关系。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该决定步骤包含下列步骤:回应该第一记忆体事件及至少一个该等一个或多个记忆体事件被导向相同的分页,而决定该第一记忆体事件与该等一个或多个记忆体事件之间并没有该预定关系。13.一种配合一处理器及一记忆体而使用之方法,包含下列步骤:自该处理器接收被导向记忆体的一第一分页之一第一记忆体要求;自该处理器接收一预充电建议,该预充电建议要求在处理该第一记忆体要求之后关闭记忆体的该第一分页;开启记忆体的该第一分页,以便处理该第一记忆体要求;以及回应该预充电建议,而关闭记忆体的该第一分页。14.如申请专利范围第13项之方法,进一步包含下列步骤:自该处理器以外的一组件接收一第二记忆体要求;以及根据该预充电建议及该第二记忆体要求,而决定关闭该第一分页。15.如申请专利范围第13项之方法,进一步包含下列步骤:在接收该第一记忆体要求之后,自该处理器接收一第二记忆体要求;以及在关闭记忆体的该第一分页之后,处理该第二记忆体要求。16.一种配合被耦合到一记忆体的一外部记忆体控制器而使用之处理器,包含:预充电建议逻辑,用以产生一预充电建议,该预充电建议回应一第一记忆体事件与一个或多个后续记忆体事件之间有一预定关系之决定,而要求关闭与该第一记忆体要求相关联的一第一分页;以及一介面,用以将该第一记忆体事件及该预充电建议提供给该外部记忆体控制器。17.如申请专利范围第16项之处理器,其中该预充电建议逻辑系要产生该预充电建议,而该预充电建议系回应该第一记忆体事件与该等一个或多个后续记忆体事件之间并没有该预定关系之决定,而要求使该第一分页保持开启。18.如申请专利范围第16项之处理器,其中该预充电建议逻辑系要:回应并无任何该等一个或多个后续记忆体事件被导向与该第一记忆体事件相同的分页之决定,而决定该第一记忆体事件与该等一个或多个后续记忆体事件之间有该预定关系。19.如申请专利范围第16项之处理器,其中该预充电建议逻辑系要:回应并无任何该等一个或多个后续记忆体事件被导向与该第一记忆体事件相同的储存单元之决定,而决定该第一记忆体事件与该等一个或多个后续记忆体事件之间有该预定关系。20.如申请专利范围第16项之处理器,其中该预充电建议逻辑系要:回应并无任何该等一个或多个后续记忆体事件被导向与该第一记忆体事件相同的排之决定,而决定该第一记忆体事件与该等一个或多个后续记忆体事件之间有该预定关系。21.一种配合一处理器及一记忆体使用之记忆体控制器,包含:一第一介面,用以自该处理器接收一第一记忆体要求、及指示该处理器是否要求将该记忆体预充电之一第一建议,并在该第一记忆体要求之后自该处理器接收一第二记忆体要求;预充电决定逻辑,用以至少部分地根据该第一建议而决定是否要将该记忆体预充电;以及一第二介面,用以针对该第一记忆体要求而存取该记忆体的一第一储存位置,并回应该预充电决定逻辑决定要将该记忆体预充电,而在处理该第二记忆体要求之前先将该记忆体预充电。22.如申请专利范围第21项之记忆体控制器,进一步包含一位址解码器,用以根据该第一记忆体要求的一第一位址而产生一个或多个第一记忆体选择,并根据该第二记忆体要求的一第二位址而产生一个或多个第二记忆体选择,其中:该预充电决定逻辑是要进一步根据该等一个或多个第一记忆体选择及该等一个或多个第二记忆体选择而决定是否要将该记忆体预充电。23.如申请专利范围第22项之记忆体控制器,进一步包含一第三介面,用以自该处理器以外的一组件接收一第三记忆体要求,其中:该预充电决定逻辑系进一步根据该第三记忆体要求而决定是否要将该记忆体预充电。24.一种运算装置,包含:包含若干分页的动态随机存取记忆体;一处理器,用以为一第一记忆体事件产生一预充电建议,并在一处理器滙流排上发出该第一记忆体事件及该预充电建议;以及在该处理器外部的一记忆体控制器,该记忆体控制器系经由一记忆体滙流排而被耦合到该动态随机存取记忆体,且系经由该处理器滙流排而被耦合到该处理器,该记忆体控制器系自该处理器滙流排接收该第一记忆体事件及该预充电建议,以便开启该第一记忆体事件所定址的该动态随机存取记忆体之一第一分页,并至少部分地根据该预充电建议而关闭该动态随机存取记忆体的该第一分页。25.如申请专利范围第24项之运算装置,其中该处理器系在发出该第一记忆体事件之后进一步在该处理器滙流排上发出一第二记忆体事件,且系根据该第一记忆体事件与该第二记忆体事件间之一预定关系而为该第一记忆体事件产生该预充电建议。26.如申请专利范围第25项之运算装置,其中:至少系由各分页选择定址到该动态随机存取记忆体的该等分页;以及该处理器系决定该第一记忆体事件的一第一分页选择及该第二记忆体事件的一第二分页选择,并回应该第一分页选择及该第二分页选择是不同的,而产生用来要求关闭该第一记忆体事件所定址的一第一分页之预充电建议。27.如申请专利范围第25项之运算装置,其中:至少系由各储存单元选择及各分页选择定址到该动态随机存取记忆体的该等分页;以及该处理器系决定该第一记忆体事件的一第一储存单元选择及一第一分页选择、以及该第二记忆体事件的一第二储存单元选择及一第二分页选择,并回应该第一储存单元选择及该第二储存单元选择是相同的且该第一分页选择及该第二分页选择是相同的,而产生用来要求使该第一记忆体事件所定址的一第一分页保持开启之预充电建议。28.如申请专利范围第25项之运算装置,其中:至少系由各储存单元选择及各分页选择定址到该动态随机存取记忆体的该等分页;以及该处理器系决定该第一记忆体事件的一第一储存单元选择及一第一分页选择、以及该第二记忆体事件的一第二储存单元选择及一第二分页选择,并回应该第一储存单元选择及该第二储存单元选择是相同的且该第一分页选择及该第二分页选择是相同的,而产生用来要求关闭该第一记忆体事件所定址的一第一分页之预充电建议。29.如申请专利范围第25项之运算装置,其中:至少系由各排选择、各储存单元选择、及各分页选择定址到该动态随机存取记忆体的该等分页;以及该处理器系决定该第一记忆体事件的一第一排选择、一第一储存单元选择、及一第一分页选择,系决定该第二记忆体事件的一第二排选择、一第二储存单元选择、及一第二分页选择,并回应该第一排选择及该第二排选择是相同的且该第一储存单元选择及该第二储存单元选择是相同的且该第一分页选择及该第二分页选择是不同的,而产生用来要求关闭该第一记忆体事件所定址的一第一分页之预充电建议。30.一种包含指令的机器可读取之媒体,系回应该等指令被执行而使一处理器执行下列步骤:决定用来定址到一记忆体的一第一储存位置之一第一记忆体事件与用来定址到该记忆体的一第二储存位置之一第二记忆体事件之间是否有一预定关系;以及如果该第一记忆体事件与该第二记忆体事件之间有该预定关系,则要求该处理器外部的一记忆体控制器针对该第一记忆体事件而存取该第一储存位置并在存取该第一记忆体分页之后将该记忆体预充电。31.如申请专利范围第30项的机器可读取之媒体,其中该等指令进一步使该处理器执行下列步骤:在针对该第一记忆体事件而存取该第一储存位置之后,要求该记忆体控制器针对该第二记忆体事件而存取第二记忆体分页。32.如申请专利范围第30项的机器可读取之媒体,其中该等指令进一步使该处理器执行下列步骤:如果该第一记忆体事件与该第二记忆体事件之间并没有该预定关系,则要求该记忆体控制器不可将该记忆体预充电。图式简单说明:图1显示出一运算装置之一实施例。图2显示出图1所示运算装置的一阶层式记忆体配置之一实施例。图3显示出图1所示之处理器可用来将预充电建议提供给外部记忆体控制器的一方法之一实施例。图4显示出图1所示之记忆体控制器可用来根据自处理器接收的一相关联的预充电建议而处理一记忆体要求的一方法之一实施例。 |
