发明名称 覆晶接合制程及覆晶封装制程
摘要 一种覆晶接合制程,适用于一晶片与一导线架之间的电性接合,其中晶片之主动表面具有多数个凸块,且凸块之顶端以浸渍的方式先沾附一含导电微粒之焊剂,接着凸块再对应接触于导线架之一引脚上,并回焊凸块,以使晶片藉由凸块(及其导电微粒)而与导线架之引脚电性连接。其中,导电微粒例如为一锡粉,其在高温回焊过程中,可融入于凸块中,以确保晶片与引脚之间有良好的电性接触。
申请公布号 TWI236756 申请公布日期 2005.07.21
申请号 TW093126134 申请日期 2004.08.31
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 刘千;王盟仁
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种覆晶接合制程,至少包括下列步骤:提供一晶片,该晶片具有多数个焊垫,位在其主动表面上,且每一该些焊垫对应具有一凸块;令该些凸块之表面沾附一锡粉;该些凸块以其沾附锡粉之表面对应接触一导线架之引脚,并电性连接;以及进行回焊,以使每一该些凸块及其锡粉熔融为一体。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶接合制程,其中于沾附该锡粉之过程中,该些凸块系以浸渍的方式沾附预先混合于一助焊剂之该锡粉。3.一种覆晶接合制程,至少包括下列步骤:令一晶片之凸块浸入于一助焊剂中,使之沾附于该些凸块之表面;令该些凸块之顶端浸入于一锡粉中,使之沾附于该助焊剂之表面;该些凸块以其沾附锡粉之表面对应接触一导线架之引脚,并电性连接;以及进行回焊,以使每一该些凸块及其锡粉熔融为一体。4.一种覆晶接合制程,适于一晶片与一导线架之电性接合,该晶片之主动表面具有多数个凸块,而该导线架对应具有多数个引脚,该覆晶接合制程至少包括下列步骤:令该些凸块以浸渍的方式沾附一含导电微粒之焊剂;对应接触该些凸块之一与该些引脚之一;以及回焊该些凸块,使得该晶片藉由该些凸块与该些引脚电性连接。5.如申请专利范围第4项所述之覆晶接合制程,其中于回焊过程中,每一该些凸块及沾附其表面之导电微粒熔融为一体。6.一种覆晶封装制程,适于封装一晶片,该晶片之主动表面具有多数个凸块,该覆晶封装制程至少包括下列步骤:提供一导线架,该导线架具有多数个阵列排列之封装单元,且每一该些封装单元具有多数个引脚;令该晶片之该些凸块之表面沾附一导电微粒;对应接触该些凸块之一与该些引脚之一,并使每一该些封装单元配置一晶片;回焊该些凸块,使得该晶片藉由该些凸块与该些引脚电性连接;形成一封胶于该导线架上,使其包覆于每一该些封装单元之该晶片的周围;以及切割该些装单元,以形成各自独立的晶片封装体。7.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中该导电微粒为锡粉。8.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中于沾附该导电微粒之过程中,该些凸块系以浸渍的方式沾附预先混合于一助焊剂之该导电微粒。9.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中于回焊过程中,每一该些凸块及沾附其表面之锡粉熔融为一体。图式简单说明:图1与图2分别绘示习知一种覆晶接合之晶片与导线架的示意图。图3绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶接合制程的流程图。图4~图7分别绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶接合制程的示意图。图8及图9分别绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶封装制程的示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号