| 主权项 |
1.一种装置,包括:一第一积体电路,其中包括一直接RambusTM ASIC单元(直接RAC);一第二个积体电路,其中包括一直接RAC;及一双终止传输线,其中该双终止传输线在通讯上耦合该第一积体电路的直接RAC和该第二积体电路的直接RAC。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该双终止传输线包括一与该第一积体电路相邻之第一电阻器;及一与该第二个积体电路相邻之第二电阻器。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一电阻器和该第二电阻器的阻抗値范围约为25欧姆到65欧姆之间。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该双终止传输线的阻抗値约比该第一个电阻器的阻抗値低7-12%。5.如申请专利范围第3项之装置,其中该双终止传输线的阻抗値约为50欧姆,及该第一电阻器的阻抗値约为55欧姆。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该第二积体电路包括一个记忆中继集线器。7.如申请专利范围第1项之装置,其中将该第一个积体电路和该第二个积体电路调适成相互间提供来源同步通讯。8.如申请专利范围第1项之装置,其中将该双终止传输线调适成以一250百万赫兹以上的速率提供一时脉信号。9.如申请专利范围第8项之装置,其中将该双终止传输线调适成以一范围约在300-800百万赫兹之间的速率提供一时脉信号。10.如申请专利范围第1项之装置,更进一步包括:一具有一连接器和包括该第二积体电路之夹层电路板,其中将该接头调适成在通讯上耦合至一第三积体电路上。11.如申请专利范围第10项之装置,其中该连接器包括一第一条金属线和一第二条金属线,及其中该第二条金属线比该第一条金属线长,且该第二条金属线的寄生电容値大于该第一条金属线的寄生电容値。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该第一条金属线的阻抗在实质上系等于该第二条金属线的阻抗。13.如申请专利范围第12项之装置,其中该连接器包括一第一部分和一第二部分,该第二部分系与该第一个部分成一个角度,该角度范围约为30-40度之间。14.如申请专利范围第13项之装置,其中该第二个部分约与该第一个部分成25度角。15.如申请专利范围第10项之装置,其中该第三积体电路包括一在通讯上耦合至该连接器之RambusTM记忆体模组。16.一种物件,包括:一包括一连接器之记忆体模组,其中将该连接器调适成耦合至一第一积体电路上;及其中该连接器包括一第一条线和一第二条线,及其中该第二条线比该第一条线长,该第二条线的电容値大于该第一条线的电容値,且该第二条线的阻抗约等于该第一条线的阻抗。17.如申请专利范围第16项之物件,更进一步包括:一第二积体电路;及一传输线,其中将该传输线调适成在通讯上耦合该第一积体电路和该第二积体电路,及其中该传输线的阻抗値范围约为25欧姆到35欧姆之间。18.如申请专利范围第16项之物件,更进一步包括:一第二积体电路;及一双终止传输线,其中将该双终止传输线调适成在通讯上耦合该第一积体电路和该第二积体电路。19.一种产生一个物件之方法,包括:提供一具有一通讯模组之第一积体电路;提供一具有一通讯模组之第二积体电路;及形成一双终止传输线,以将该第一积体电路耦合至该第二积体电路。20.如申请专利范围第19项之方法,更进一步包括提供一包括一第一条线和一第二条线的连接器,其中该第一条线和该第二条线在通讯上耦合至该第一积体电路,及其中该第二条线比该第一条线长,该第二条线的电容値大于该第一条线的电容値,且该第二条线的阻抗约等于该第一条线的阻抗。21.一种在一第一积体电路和一第二积体电路之间通讯之方法,包括:提供一在通讯上耦合该第一积体电路和该第二积体电路之双终止传输线;及以一每秒十亿字元以上的速率在该双终止传输线上传输资料信号。22.如申请专利范围第21项之方法,其中提供一双终止传输线包括:提供一阻抗范围约在45欧姆到55欧姆之间的双终止传输线。图式简单说明:图1,为一根据本发明之包括一通讯滙流排之系统其一具体实施例的方块图代表;图2,为根据本发明一具体实施例之一记忆体夹层和一印刷电路板的剖面图;及图3,为一根据本发明一具体实施例之连接器的剖面图。 |
