| 主权项 |
1.一种半导体积体装置,其特征在于包括:一固体摄像元件,在半导体基板上具有接收光产生资讯电荷的受光部和把存储在所述受光部中的资讯电荷传输的传输部,且通过沿着所述半导体基板的一边配置的垫电极而被提供电压;一遮光膜,形成在所述半导体基板上,把所述传输部的至少一部分遮光;一第一布线,与所述遮光膜形成在同一层中,一端连接在所述垫电极上,并且另一端延伸到所述半导体基板的侧边;一第二布线,绕过所述半导体基板的侧面配置,与所述第一布线连接;以及一密封部件,密封所述固体摄像元件。2.如申请专利范围第1项所述的半导体积体装置,其特征在于:所述第一布线至少具有2层结构,这些层中的至少1层与所述遮光膜形成在同一层中。3.如申请专利范围第2项所述的半导体积体装置,其特征在于:所述第一布线的多层中的至少一层形成在与所述垫电极同一层中。4.如申请专利范围第1~3项中任意一项所述的半导体积体装置,其特征在于:所述第一布线是由添加了铜的铝构成。5.如申请专利范围第1~3项中任意一项所述的半导体积体装置,其特征在于:所述第一布线的膜厚为2m以上10m以下。6.一种半导体积体装置的制造方法,该半导体积体装置之第一布线的端部延伸到固体摄像元件的侧边,且该第一布线是与绕过所述固体摄像元件的侧面配置的第二布线相连接,其特征在于该制造方法包括:一第一工程,形成接收光产生资讯电荷的受光部和把存储在所述受光部中的资讯电荷传输的传输部,并在半导体基板上形成所述固体摄像元件;一第二工程,至少在所述半导体基板上形成遮光所述传输部的遮光膜,并且在与所述遮光膜同一层中形成所述第一布线;以及一第三工程,形成所述第二布线,与所述第一布线连接。7.如申请专利范围第6项所述的半导体积体装置的制造方法,其特征在于:在所述第二工程中,由添加了铜的铝形成所述第一布线。8.一种半导体积体装置的制造方法,该半导体积体装置之一第一布线的端部延伸到固体摄像元件的侧边,且该第一布线是与绕过所述固体摄像元件的侧面配置的第二布线相连接,其特征在于该制造方法:包括:一第一工程,形成接收光产生资讯电荷的受光部和把存储在所述受光部中的资讯电荷传输的传输部,并在半导体基板上形成所述固体摄像元件;一第二工程,形成向所述受光部和所述传输部供给电压的垫电极,并且在与所述垫电极同一层中形成第一内部布线;一第三工程,在所述半导体基板上形成至少遮光所述传输部的遮光膜,并且在与所述遮光膜同一层中形成与所述第一内部布线重叠的所述第二内部布线;和一第四工程,形成外部布线,并将其与所述第一内部及第二内部布线连接。9.如申请专利范围第8项所述的半导体积体装置的制造方法,其特征在于:在所述第二和第三工程中,是由添加了铜的铝形成所述第一和第二内部布线。图式简单说明:图1是表示本发明实施例的半导体积体装置的截面结构的图。图2A、2B是表示本发明实施例的半导体积体装置的封装外观的立体图,其中图2A是绘示从第一玻璃基板往第二玻璃基板看的立体图、图2B是绘示从第二玻璃基板往第一玻璃基板看的立体图。图3是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的流程图。图4是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的图。图5是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的图。图6是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的图。图7是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的图。图8是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的图。图9是表示本发明实施例的半导体积体装置的制造工程的图。图10是表示以往的固体摄像元件结构的平面图。图11是表示以往的半导体积体装置的截面结构的图。 |
