| 主权项 |
1.一种监控晶圆缺陷的方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上存在有一缺陷;进行一化学处理步骤,以扩大该缺陷;在该晶圆上形成一共形材料层;以及藉由该共形材料层侦测该晶圆上之该缺陷。2.如申请专利范围第1项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该化学处理步骤包括一蚀刻处理步骤。3.如申请专利范围第2项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该蚀刻处理步骤所使用之一蚀刻液包括一氢氟酸(HF)溶液。4.如申请专利范围第3项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该氢氟酸溶液之浓度系介于0.01%至20%之间。5.如申请专利范围第1项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中进行该化学处理步骤之时间为10秒至500秒。6.如申请专利范围第1项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该共形材料层包括一共形金属层、一共形介电层或一共形多晶矽层。7.如申请专利范围第6项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该共形金属层包括一共形钛层。8.如申请专利范围第1项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该共形材料层之厚度系介于10埃至500埃。9.如申请专利范围第1项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该缺陷包括一奈米缺陷。10.一种监控晶圆缺陷的方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上附着有一缺陷,其中该缺陷包括微粒以及制程所造成之孔洞缺陷;进行一化学处理步骤,以移除该微粒并扩大该孔洞缺陷;在该晶圆之上方形成一共形材料层;以及藉由该共形材料层侦测该晶圆上之该孔洞缺陷。11.如申请专利范围第10项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该化学处理步骤包括一蚀刻处理步骤。12.如申请专利范围第11项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该蚀刻处理步骤所使用之一蚀刻液包括氢氟酸(HF)溶液。13.如申请专利范围第12项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该氢氟酸溶液之浓度系介于0.01%至20%之间。14.如申请专利范围第10项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中进行该化学处理步骤之时间为10秒至500秒。15.如申请专利范围第10项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该共形材料层包括一共形金属层、一共形介电层或一共形多晶矽层。16.如申请专利范围第15项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该共形金属层包括一共形钛层。17.如申请专利范围第10项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该共形材料层之厚度系介于10埃至500埃。18.如申请专利范围第10项所述之监控晶圆缺陷的方法,其中该微粒包括一奈米微粒。图式简单说明:第1图是依照本发明一较佳实施例的一种监控晶圆缺陷的方法之步骤流程图;第2A图是晶圆上存在有一缺陷简示图;第2B图是晶圆经过化学处理后,使晶圆上的缺陷扩大简示图;第2C图是在晶圆上形成共形材料层后的简示图;第3图是依照本发明另一较佳实施例的一种监控晶圆缺陷的方法之步骤流程图;第4A图是晶圆上因附着有一微粒,而使于晶圆上所形成的材料层中会形成一孔洞缺陷之简示图;第4B图是晶圆经过化学处理后,使晶圆上的缺陷扩大之简示图;以及第4C图是在晶圆上形成共形材料层后之简示图。 |
