| 主权项 |
1.一种发光二极体之制程,是将一发光二极体晶圆分割成复数发光二极体晶粒,该发光二极体晶圆具有一基板、一形成在该基板上的光电单元,及复数自该光电单元表面向下形成的分割槽,该复数分割槽成纵横交错分布且深度小于该光电单元之厚度,该发光二极体之制程包含:(a)在光电单元表面向上形成一遮覆层,该遮覆层遮覆该光电单元表面及该每一分割槽的底部;(b)以雷射在该遮覆每一分割槽底部的部分遮覆层表面,以平行于该每一分割槽长度的方向,更向下形成一崩裂道;(c)移除该遮覆层;(d)分别对应每一崩裂道,自该基板底面向该光电单元方向形成一对应崩裂道,该每一对应崩裂道之深度小于该基板厚度,且自该每一崩裂道底部分别向下与其对应之该对应崩裂道底部连成一假想之分离界面;及(e)施加应力,使该发光二极体晶圆沿该每一分离界面被分割。2.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该每一崩裂道之深度小于该光电单元之厚度。3.依据申请专利范围第1或2项所述发光二极体之制程,其中,该每一崩裂道之开口宽度小于该每一对应崩裂道之开口宽度。4.依据申请专利范围第1或2项所述发光二极体之制程,其中,该每一崩裂道之开口宽度小于该每一分割槽之开口宽度。5.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该遮覆层是选自于由下列所构成之群组为材料形成:光阻、金属、氧化物,及此等之组合。6.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,更包含一实施在该步骤(d)之前的步骤(f),是研磨缩减该基板厚度。7.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该每一对应崩裂道是选自于由下列所构成之群组的方式形成:雷射背切、钻石刀切割、砂轮切割,及此等之组合。8.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该步骤(e)是在该每一崩裂道底部垂直向该每一对应崩裂道底部施加应力。9.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,更包含一实施在步骤(c)之后的步骤(g),是在移除该遮覆层之后的该光电单元表面可分离地贴覆一转换胶膜,并在步骤(e)之后移除该转换胶膜。图式简单说明:图1是一示意图,说明一尚未进行后段后段切割制程的发光二极体晶圆的结构;图2是一示意图,说明图1之发光二极体晶圆被切割分离出复数发光二极体晶粒;图3是一示意图,说明一尚未进行后段后段切割制程的发光二极体晶圆,在其基板背面形成对应崩裂道,以提高切割成功率;图4是一流程图,说明本发明发光二极体之制程的一较佳实施例;及图5是一电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)照片,说明以本发明发光二极体之制程的一较佳实施例切割得到之发光二极体晶粒的分离晶面状态。 |
