| 主权项 |
1.一种晶片结构,包括:一半导体基底,具有多数个电子元件,该些电子元件系配设于该半导体基底之一表层;多数层薄膜介电层,配置于该半导体基底上,该些薄膜介电层具有多数个导通孔;多数层薄膜线路层,每一该些薄膜线路层系分别配置于其中一该些薄膜介电层上,且该些薄膜线路层藉由该些导通孔彼此电性连接,并电性连接至该些电子元件;一保护层,配置于该些薄膜介电层与该些薄膜线路层上;一金属线路层,位于该保护层上,该金属线路层包括一第一金属层,该第一金属层的材质包括金;以及至少一凸块,位于该金属线路层上,该凸块包括一第二金属层,该凸块之一顶面系由该第二金属层的一表面所提供,该第二金属层的材质包括金。2.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该金属线路层还包括一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该黏着/阻障层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物。3.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个开口,该金属线路层系经由该保护层之该些开口电性连接于该些薄膜线路层,该些电子元件之其中一个系适于输出一电子讯号,该电子讯号经由该些薄膜线路层并穿过该保护层后,传输至该金属线路层,接着再穿过该保护层,并经由该些薄膜线路层传输至其他的该些电子元件之至少其中一个。4.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该保护层具有一开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之一接点,该凸块系经由该金属线路层电性连接至该接点,该凸块的布局位置系相异于该接点的布局位置。5.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个接点,该金属线路层包括一电源平面,该些薄膜线路层包括一薄膜电源平面,该金属线路层之该电源平面系经由该些接点电性连接于该薄膜电源平面。6.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个接点,该金属线路层包括一接地平面,该些薄膜线路层包括一薄膜接地平面,该金属线路层之该接地平面系经由该些接点电性连接于该薄膜接地平面。7.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,至少二该些凸块系位在该金属线路层之该区域上,该金属线路层之该区域系透过该些凸块适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,并且一讯号适于经由该外界电路构件及其中一该些凸块传输至该金属线路层之该区域,再经由其他的至少一该凸块传输至该外界电路构件。8.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,该凸块系位在该金属线路层之该区域上,该金属线路层之该区域系透过该凸块适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一电源平面。9.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,该凸块系位在该金属线路层之该区域上,该金属线路层之该区域系透过该凸块适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一接地平面。10.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上。11.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该第一金属层的厚度系大于1微米。12.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该第二金属层的厚度系大于5微米。13.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该第二金属层系直接接触地位在该第一金属层上。14.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,适于与一软板(Tape)接合,该软板具有一开口及至少一连接线路,该连接线路系延伸至该开口中,该晶片结构系对准该软板之该开口,并透过该凸块与该连接线路接合。15.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,适于与一薄膜基板(Film)接合,该晶片结构系透过该凸块与该薄膜基板电性连接。16.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,适于与一玻璃基板接合,该晶片结构系透过该凸块与该玻璃基板电性连接。17.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该保护层的厚度系大于0.35微米,且该保护层的结构系为一氮矽化合物层、一氧矽化合物层、一磷矽玻璃层或至少一上述材质所构成的复合层。18.一种晶片结构,包括:一半导体基底,具有多数个电子元件,该些电子元件系配设于该半导体基底之一表层;多数层薄膜介电层,配置于该半导体基底上,该些薄膜介电层具有多数个导通孔;多数层薄膜线路层,每一该些薄膜线路层系分别配置于其中一该些薄膜介电层上,且该些薄膜线路层藉由该些导通孔彼此电性连接,并电性连接至该些电子元件;一保护层,配置于该些薄膜介电层与该些薄膜线路层上;一金属线路层,位于该保护层上;以及至少一凸块,位于该金属线路层上,其中该凸块包括一第一金属层,该凸块之一顶面系由该第一金属层的一表面所提供,该第一金属层系由不适于进行回焊步骤的材质所构成。19.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该凸块包括一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该黏着/阻障层上,该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物,该第一金属层的材质包括金,且该第一金属层的厚度系大于5微米。20.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层及一第二金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括金,且该第二金属层的厚度系大于1微米。21.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层及一第二金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该黏着/阻障层之材质包括钛、钛钨合金、钛氮化合物、铬、铬铜合金、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括铜,且该第二金属层的厚度系大于1微米。22.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层、一第二金属层及一第三金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该第三金属层系位在该第二金属层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛、钛钨合金、钛氮化合物、铬、铬铜合金、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括铜且该第二金属层的厚度系大于1微米,该第三金属层的材质包括镍。23.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层、一第二金属层、一第三金属层及一第四金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该第三金属层系位在该第二金属层上,该第四金属层系位在该第三金属层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛、钛钨合金、钛氮化合物、铬、铬铜合金、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括铜且该第二金属层的厚度系大于1微米,该第三金属层的材质包括镍,该第四金属层的材质包括金。24.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一第二金属层,该第二金属层的材质包括金,且该第二金属层的厚度系大于1微米。25.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一第二金属层,该第二金属层的材质包括铜,且该第二金属层的厚度系大于1微米。26.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该第一金属层的厚度系大于5微米。27.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该第一金属层系直接接触地位在该金属线路层上。28.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个开口,该金属线路层系经由该保护层之该些开口电性连接于该些薄膜线路层,该些电子元件之其中一个系适于输出一电子讯号,该电子讯号经由该些薄膜线路层并穿过该保护层后,传输至该金属线路层,接着再穿过该保护层,并经由该些薄膜线路层传输至其他的该些电子元件之至少其中一个。29.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该保护层具有一开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之一接点,该凸块系经由该金属线路层电性连接至该接点,该凸块的布局位置系相异于该接点的布局位置。30.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个接点,该金属线路层包括一电源平面,该些薄膜线路层包括一薄膜电源平面,该金属线路层之该电源平面系经由该些接点电性连接于该薄膜电源平面。31.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个接点,该金属线路层包括一接地平面,该些薄膜线路层包括一薄膜接地平面,该金属线路层之该接地平面系经由该些接点电性连接于该薄膜接地平面。32.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,至少二该些凸块系位在该金属线路层之该区域上,该金属线路层之该区域系透过该些凸块适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,并且一讯号适于经由该外界电路构件及其中一该些凸块传输至该金属线路层之该区域,再经由其他的至少一该凸块传输至该外界电路构件。33.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,该凸块系位在该金属线路层之该区域上,该金属线路层之该区域系透过该凸块适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一电源平面。34.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,该凸块系位在该金属线路层之该区域上,该金属线路层之该区域系透过该凸块适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一接地平面。35.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上。36.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,适于与一软板(Tape)接合,该软板具有一开口及至少一连接线路,该连接线路系延伸至该开口中,该晶片结构系对准该软板之该开口,并透过该凸块与该连接线路接合。37.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,适于与一薄膜基板(Film)接合,该晶片结构系透过该凸块与该薄膜基板电性连接。38.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,适于与一玻璃基板接合,该晶片结构系透过该凸块与该玻璃基板电性连接。39.如申请专利范围第18项所述之晶片结构,其中该保护层的厚度系大于0.35微米,且该保护层的结构系为一氮矽化合物层、一氧矽化合物层、一磷矽玻璃层或至少一上述材质所构成的复合层。40.一种晶片结构,包括:一半导体基底,具有多数个电子元件,该些电子元件系配设于该半导体基底之一表层;多数层薄膜介电层,配置于该半导体基底上,该些薄膜介电层具有多数个导通孔;多数层薄膜线路层,每一该些薄膜线路层系分别配置于其中一该些薄膜介电层上,且该些薄膜线路层藉由该些导通孔彼此电性连接,并电性连接至该些电子元件;一保护层,配置于该些薄膜介电层与该些薄膜线路层上,该保护层具有至少一开口,暴露出位于顶层之该薄膜线路层之至少一接点;一金属线路层,位于该保护层上,该金属线路层包括一第一金属层,该第一金属层的材质包括金;以及至少一凸块,位于该接点上,该凸块包括一第二金属层,该凸块之一顶面系由该第二金属层的一表面所提供,该第二金属层的材质包括金。41.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层具有一第一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该第一黏着/阻障层上,该凸块具有一第二黏着/阻障层,该第二金属层系位在该第二黏着/阻障层上,其中该第一黏着/阻障层的材质系相同于该第二黏着/阻障层的材质,且该第一黏着/阻障层的厚度系大致上相同于该第二黏着/阻障层的厚度。42.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层具有一第一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该第一黏着/阻障层上,该凸块具有一第二黏着/阻障层,该第二金属层系位在该第二黏着/阻障层上,其中该第一黏着/阻障层的材质系相同于该第二黏着/阻障层的材质,该第一黏着/阻障层的厚度系大致上相同于该第二黏着/阻障层的厚度,该第一金属层的厚度系相同于该第二金属层的厚度。43.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该凸块包括一黏着/阻障层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物。44.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该黏着/阻障层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物。45.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层系经由该保护层之多数个该些开口电性连接于该些薄膜线路层,该些电子元件之其中一个系适于输出一电子讯号,该电子讯号经由该些薄膜线路层并穿过该保护层后,传输至该金属线路层,接着再穿过该保护层,并经由该些薄膜线路层传输至其他的该些电子元件之至少其中一个。46.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个该些开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个该些接点,该金属线路层包括一电源平面,该些薄膜线路层包括一薄膜电源平面,该金属线路层之该电源平面系经由该些接点电性连接于该薄膜电源平面。47.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个该些开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个该些接点,该金属线路层包括一接地平面,该些薄膜线路层包括一薄膜接地平面,该金属线路层之该接地平面系经由该些接点电性连接于该薄膜接地平面。48.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,一讯号适于经由该外界电路构件传输至该金属线路层之该区域,再传输至该外界电路构件。49.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一电源平面。50.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一接地平面。51.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层的厚度系大致上等于该凸块的厚度。52.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该金属线路层的厚度系小于该凸块的厚度。53.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该凸块的厚度系大于该金属线路层加上该聚合物层的总厚度。54.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该凸块的厚度系小于该金属线路层加上该聚合物层的总厚度。55.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该凸块的厚度系大致上等于该金属线路层加上该聚合物层的总厚度。56.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该聚合物层具有至少一开口,暴露出该接点,该凸块系位在该保护层之该开口与该聚合物层之该开口所暴露出的该接点上,且该凸块突出于该聚合物层之该开口外的厚度系大致上等于该金属线路层的厚度。57.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该聚合物层具有至少一开口,暴露出该接点,该凸块系位在该保护层之该开口与该聚合物层之该开口所暴露出的该接点上,且该凸块突出于该聚合物层之该开口外的厚度系大于该金属线路层的厚度。58.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该金属线路层上。59.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该凸块系透过顶层之该薄膜线路层电性连接于该金属线路层。60.如申请专利范围第59项所述之晶片结构,其中该凸块与该金属线路层之间的最短距离系介于1微米到500微米之间。61.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括至少一第二凸块,位于该金属线路层上。62.如申请专利范围第61项所述之晶片结构,其中该第二凸块与该金属线路层所加总的厚度系大致上等于该凸块的厚度。63.如申请专利范围第61项所述之晶片结构,其中该第二凸块包括一第三金属层,该第二凸块之一顶面系由该第三金属层的一表面所提供,该第三金属层的材质包括金。64.如申请专利范围第63项所述之晶片结构,其中该第三金属层的厚度系大于5微米。65.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,还包括至少一第二凸块及一聚合物层,该聚合物系位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,该第二凸块系位于该金属线路层上。66.如申请专利范围第65项所述之晶片结构,其中该第二凸块、该金属线路层及该聚合物层所加总的厚度系大致上等于该凸块的厚度。67.如申请专利范围第65项所述之晶片结构,其中该第二凸块包括一第三金属层,该第二凸块之一顶面系由该第三金属层的一表面所提供,该第三金属层的材质包括金。68.如申请专利范围第67项所述之晶片结构,其中该第三金属层的厚度系大于5微米。69.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该第一金属层的厚度系大于1微米。70.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该第二金属层的厚度系大于5微米。71.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,适于与一软板(Tape)接合,该软板具有一开口及至少一连接线路,该连接线路系延伸至该开口中,该晶片结构系对准该软板之该开口,并透过该凸块与该连接线路接合。72.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,适于与一薄膜基板(Film)接合,该晶片结构系透过该凸块与该薄膜基板电性连接。73.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,适于与一玻璃基板接合,该晶片结构系透过该凸块与该玻璃基板电性连接。74.如申请专利范围第40项所述之晶片结构,其中该保护层的厚度系大于0.35微米,且该保护层的结构系为一氮矽化合物层、一氧矽化合物层、一磷矽玻璃层或至少一上述材质所构成的复合层。75.一种晶片结构,包括:一半导体基底,具有多数个电子元件,该些电子元件系配设于该半导体基底之一表层;多数层薄膜介电层,配置于该半导体基底上,该些薄膜介电层具有多数个导通孔;多数层薄膜线路层,每一该些薄膜线路层系分别配置于其中一该些薄膜介电层上,且该些薄膜线路层藉由该些导通孔彼此电性连接,并电性连接至该些电子元件;一保护层,配置于该些薄膜介电层与该些薄膜线路层上,该保护层具有至少一开口,暴露出位于顶层之该薄膜线路层之至少一接点;一金属线路层,位于该保护层上;以及至少一凸块,位于该接点上,其中该凸块包括一第一金属层,该凸块之一顶面系由该第一金属层的一表面所提供,该第一金属层系由不适于进行回焊步骤的材质所构成。76.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该凸块具有一第一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该第一黏着/阻障层上,该金属线路层具有一第二黏着/阻障层及一第二金属层,该第二金属层系位在该第二黏着/阻障层上,其中该第一黏着/阻障层的材质系相同于该第二黏着/阻障层的材质,且该第一黏着/阻障层的厚度系大致上相同于该第二黏着/阻障层的厚度。77.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该凸块具有一第一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该第一黏着/阻障层上,该金属线路层具有一第二黏着/阻障层及一第二金属层,该第二金属层系位在该第二黏着/阻障层上,其中该第一黏着/阻障层的材质系相同于该第二黏着/阻障层的材质,且该第一黏着/阻障层的厚度系大致上相同于该第二黏着/阻障层的厚度,该第一金属层的材质系相同于该第二金属层的材质,且该第一金属层的厚度系大致上相同于该第二金属层的厚度。78.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该凸块包括一黏着/阻障层,该第一金属层系位在该黏着/阻障层上,该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物,该第一金属层的材质包括金,且该第一金属层的厚度系大于5微米。79.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层及一第二金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛钨合金、钛氮化合物、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括金,且该第二金属层的厚度系大于1微米。80.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层及一第二金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该黏着/阻障层之材质包括钛、钛钨合金、钛氮化合物、铬、铬铜合金、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括铜,且该第二金属层的厚度系大于1微米。81.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层、一第二金属层及一第三金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该第三金属层系位在该第二金属层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛、钛钨合金、钛氮化合物、铬、铬铜合金、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括铜且该第二金属层的厚度系大于1微米,该第三金属层的材质包括镍。82.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一黏着/阻障层、一第二金属层、一第三金属层及一第四金属层,该第二金属层系位在该黏着/阻障层上,该第三金属层系位在该第二金属层上,该第四金属层系位在该第三金属层上,其中该黏着/阻障层之材质包括钛、钛钨合金、钛氮化合物、铬、铬铜合金、钽或钽氮化合物,该第二金属层的材质包括铜且该第二金属层的厚度系大于1微米,该第三金属层的材质包括镍,该第四金属层的材质包括金。83.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一第二金属层,该第二金属层的材质包括金,且该第二金属层的厚度系大于1微米。84.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一第二金属层,该第二金属层的材质包括铜,且该第二金属层的厚度系大于1微米。85.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层系经由该保护层之多数个该些开口电性连接于该些薄膜线路层,该些电子元件之其中一个系适于输出一电子讯号,该电子讯号经由该些薄膜线路层并穿过该保护层后,传输至该金属线路层,接着再穿过该保护层,并经由该些薄膜线路层传输至其他的该些电子元件之至少其中一个。86.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个该些开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个该些接点,该金属线路层包括一电源平面,该些薄膜线路层包括一薄膜电源平面,该金属线路层之该电源平面系经由该些接点电性连接于该薄膜电源平面。87.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该保护层具有多数个该些开口,暴露出最顶层之该薄膜线路层之多数个该些接点,该金属线路层包括一接地平面,该些薄膜线路层包括一薄膜接地平面,该金属线路层之该接地平面系经由该些接点电性连接于该薄膜接地平面。88.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,一讯号适于经由该外界电路构件传输至该金属线路层之该区域,再传输至该外界电路构件。89.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层之该区域并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一电源平面。90.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层包括一区域,适于电性连接一外界电路构件,该金属线路层并未连接顶层之该薄膜线路层,其中该金属线路层之该区域系适于作为该外界电路构件的一接地平面。91.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该第一金属层的厚度系大于5微米。92.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层的厚度系大致上等于该凸块的厚度。93.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该金属线路层的厚度系小于该凸块的厚度。94.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该凸块的厚度系大于该金属线路层加上该聚合物层的总厚度。95.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该凸块的厚度系小于该金属线路层加上该聚合物层的总厚度。96.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该凸块的厚度系大致上等于该金属线路层加上该聚合物层的总厚度。97.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该聚合物层具有至少一开口,暴露出该接点,该凸块系位在该保护层之该开口与该聚合物层之该开口所暴露出的该接点上,且该凸块突出于该聚合物层之该开口外的厚度系大致上等于该金属线路层的厚度。98.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,其中该聚合物层具有至少一开口,暴露出该接点,该凸块系位在该保护层之该开口与该聚合物层之该开口所暴露出的该接点上,且该凸块突出于该聚合物层之该开口外的厚度系大于该金属线路层的厚度。99.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括一聚合物层,位于该金属线路层上。100.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该凸块系透过顶层之该薄膜线路层电性连接于该金属线路层。101.如申请专利范围第100项所述之晶片结构,其中该凸块与该金属线路层之间的最短距离系介于1微米到500微米之间。102.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括至少一第二凸块,位于该金属线路层上。103.如申请专利范围第102项所述之晶片结构,其中该第二凸块与该金属线路层所加总的厚度系大致上等于该凸块的厚度。104.如申请专利范围第102项所述之晶片结构,其中该第二凸块包括一第二金属层,该第二凸块之一顶面系由该第二金属层的一表面所提供,该第二金属层系由不适于进行回焊步骤的材质所构成。105.如申请专利范围第104项所述之晶片结构,其中该第二金属层的材质包括金。106.如申请专利范围第104项所述之晶片结构,其中该第二金属层的厚度系大于5微米。107.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,还包括至少一第二凸块及一聚合物层,该聚合物系位于该保护层上,该金属线路层系位于该聚合物层上,该第二凸块系位于该金属线路层上。108.如申请专利范围第107项所述之晶片结构,其中该第二凸块、该金属线路层及该聚合物层所加总的厚度系大致上等于该凸块的厚度。109.如申请专利范围第107项所述之晶片结构,其中该第二凸块包括一第二金属层,该第二凸块之一顶面系由该第二金属层的一表面所提供,该第二金属层系由不适于进行回焊步骤的材质所构成。110.如申请专利范围第109项所述之晶片结构,其中该第二金属层的材质包括金。111.如申请专利范围第109项所述之晶片结构,其中该第二金属层的厚度系大于5微米。112.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,适于与一软板(Tape)接合,该软板具有一开口及至少一连接线路,该连接线路系延伸至该开口中,该晶片结构系对准该软板之该开口,并透过该凸块与该连接线路接合。113.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,适于与一薄膜基板(Film)接合,该晶片结构系透过该凸块与该薄膜基板电性连接。114.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,适于与一玻璃基板接合,该晶片结构系透过该凸块与该玻璃基板电性连接。115.如申请专利范围第75项所述之晶片结构,其中该保护层的厚度系大于0.35微米,且该保护层的结构系为一氮矽化合物层、一氧矽化合物层、一磷矽玻璃层或至少一上述材质所构成的复合层。图式简单说明:图1及图2绘示依照本发明晶片结构之第一实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为晶片内之讯号传输之用。图3及图4绘示依照本发明晶片结构之第一实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为重配置布局之用。图5及图6绘示依照本发明晶片结构之第一实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为电源平面之用。图7及图8绘示依照本发明晶片结构之第一实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为接地平面之用。图9及图10绘示依照本发明晶片结构之第一实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为外界电路构件之讯号传输线路、电源平面或接地平面之用。图11至图23绘示依照本发明晶片结构之第二实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为晶片内之讯号传输之用。图24至图36绘示依照本发明晶片结构之第二实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为电源平面之用。图37至图49绘示依照本发明晶片结构之第二实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为接地平面之用。图50至图62绘示依照本发明晶片结构之第二实施例的剖面示意图,其中金属线路层系利用顶层之薄膜线路层连接凸块,金属线路层系作为讯号传输线路、电源平面或接地平面之用。图63至图68绘示依照本发明晶片结构之第二实施例的剖面示意图,其中金属线路层系作为外界电路构件之讯号传输线路、电源平面或接地平面之用。图69绘示依照本发明第一实施例及第二实施例中金属线路层之第一种结构的剖面示意图。图70绘示依照本发明第一实施例及第二实施例中金属线路层之第二种结构的剖面示意图。图71绘示依照本发明第一实施例及第二实施例中金属线路层之第三种结构的剖面示意图。图72绘示依照本发明第一实施例及第二实施例中金属线路层之第四种结构的剖面示意图。图73绘示依照本发明第二实施例中凸块之剖面示意图。图74及图75分别绘示第一实施例及第二实施例之晶片结构应用在软板自动接合之构装的剖面示意图。图76及图77分别绘示第一实施例及第二实施例之晶片结构应用在接合玻璃基板之构装的剖面示意图。图78及图79分别绘示第一实施例及第二实施例之晶片结构应用在接合薄膜基板之构装的剖面示意图。 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