| 主权项 |
1.一种覆晶封装基板条,其系具有一上表面及一下表面,其中该基板条系包含有至少一矩阵区[matrix],其系由复数个矩阵排列之基板单元所组成,每一基板单元系具有复数个在该上表面之覆晶接合垫,该矩阵区内系定义有复数个交错之第一切割道与第二切割道,其系形成在该些基板单元之间,且在该些第一切割道与第二切割道之交错处形成有一预切通孔。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装基板条,其中该些预切通孔系为十字形、T形或L形。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装基板条,其中该些预切通孔系为圆形。4.如申请专利范围第3项所述之覆晶封装基板条,其中该些预切通孔之孔径系介于20~100微米。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装基板条,其中该些预切通孔之孔径系不小于该些第一切割道或第二切割道之宽度。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装基板条,其中该基板条系包含有复数个介电层以及复数层线路结构,该些线路结构系形成在该些基板单元内,并且复数个电镀线系通过该些第一切割道与该些第二切割道,以连接两相邻基板单元内之该些线路结构。7.一种覆晶封装方法,其系包含有:提供一覆晶封装基板条,其中该基板条系包含有至少一矩阵区[matrix],其系由复数个矩阵排列之基板单元所组成,每一基板单元系具有复数个在该上表面之覆晶接合垫,该矩阵区内系定义有复数个交错之第一切割道与第二切割道,其系形成在该些基板单元之间,在该些第一切割道与第二切割道之交错处形成有一预切通孔;结合复数个覆晶晶片于该基板条之该些基板单元,以导接该些覆晶接合垫;及切割该基板条,以形成复数个覆晶封装构造,而切割路径系沿着该些第一切割道与该些第二切割道通过该些预切通孔,以防止该些基板单元发生碎边或剥层。8.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其中在切割该基板条之前,以一黏性胶带贴固该些晶片之背面。9.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其中该些预切通孔系为十字形、T形或L形。10.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其中该些预切通孔系为圆形。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶封装方法,其中该些预切通孔之孔径系介于20~100微米。12.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其中该些预切通孔之孔径系不小于该些第一切割道或第二切割道之宽度。13.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其中该基板条系包含有复数个介电层以及复数层线路结构,该些线路结构系形成在该些基板单元内,并且复数个电镀线系通过该些第一切割道与该些第二切割道,以连接两相邻基板单元内之该些线路结构。14.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其另包含有:形成复数个底部填充材于该些覆晶晶片与该些基板单元之间。15.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装方法,其另包含有:形成复数个焊球于该基板条之下表面。图式简单说明:第1图:依据本发明之覆晶封装基板条之截面示意图;第2图:依据本发明之第一具体实施例,一覆晶封装基板条之上表面示意图;第3图:依据本发明之第二具体实施例,一覆晶封装基板条之上表面示意图;第4图:依据本发明之第三具体实施例,一覆晶封装基板条之上表面示意图;及第5至8图:依据本发明之覆晶封装方法,该覆晶封装基板条在制程中之截面示意图。 |
