| 主权项 |
1.一种变阻器之制造方法,其包含混合粉碎步骤,该 步骤系将在主成分之氧化锌中加入含有钾的化合 物做为副成分,并湿式粉碎之,其特征为: 前述含有钾的化合物系使用难溶性钾化合物。 2.如申请专利范围第1项之变阻器之制造方法,其中 前述副成分另包含含有镨之化合物及含有钴之化 合物。 3.如申请专利范围第1或2项之变阻器之制造方法, 其中前述难溶性钾化合物在25℃之温度下对100g之 水溶液之前述钾之溶解量为3g以下。 4.如申请专利范围第3项之变阻器之制造方法,其中 前述难溶性钾化合物包含选自过氯酸钾、酒石酸 氢钾、六氯铂酸钾及六硝基钴酸钾中之至少1种。 5.如申请专利范围第1项之变阻器之制造方法,其中 前述混合粉碎步骤系添加多羧酸系分散剂而进行 者。 6.如申请专利范围第4项之变阻器之制造方法,其中 前述多羧酸系分散剂的添加量,相对于主成分的重 量与副成分的重量合计的总重量,为0.1 ~5.0重量%。 7.如申请专利范围第1项之变阻器之制造方法,其中 前述混合粉碎步骤系在水之存在下进行。 8.如申请专利范围第1项之变阻器之制造方法,其另 包含将前述混合粉碎步骤所制得之材料脱水、乾 燥而制得造粒粉之步骤;预烧前述造粒粉,制得预 烧粉末之步骤;于前述预烧粉末中加入黏合剂及溶 剂,调制薄片成形用浆液之步骤;将前述薄片成形 用浆液成形成薄片状,制作陶瓷胚片之步骤;于前 述陶瓷胚片上形成做为内部电极之导体图案之步 骤;将形成有导体图案之陶瓷胚片积层,制作积层 体之步骤;烧成前述积层体之步骤;及在烧成之前 述积层体之表面形成外部电极之步骤。 图式简单说明: 图1为显示本发明的制造方法所制造之变阻器中之 积层型变阻器之一实施态样之剖图 图2为显示本发明之变阻器之制造方法之重要步骤 之图。 图3为ESD耐压的测定中所用ESD脉冲的波形图。 图4为测是骤增(surge)电流耐量时使用之骤增电流 之波形图。 |
