研磨物

摘要

本发明，即使含有多量的研磨粒之情形，研磨粒之分散性特别优越，并发挥安定的研磨性，能提供降低刻痕之效果为目的。构成本发明之研磨物之研磨部，将所定量之丁二烯，苯乙烯，甲基丙烯酸酯，衣康酸，丙烯酸，α-〔甲基苯乙烯二聚物，t-十二(烷)基硫醇投入于高压釜，以75℃16小时使反应，得到共聚物为分散之乳液，将此乳液调节成pH8.5后，投入一次平均粒径0.3μm之氧化铈粉末予以搅拌而得水系分散元件，再者将此水系分散元件于薄膜上薄薄的伸展使乾燥，所得乾燥物被模压制(mold press)而可得到。又上述研磨部可具有交联构造，本发明之研磨物，系将半导体晶圆等之表面研磨，可利用适当的研磨衬垫。

主权项

1.一种研磨物,其特征在于具备: 以具有基质材料与研磨粒为各自分散含有之水系 分散元件而予以固化所成研磨部,该研磨部系将上 述水系分散元件予以乾燥形成此乾燥物,并使此乾 燥物成形后进而予以乾燥,或者在乾燥之同时使成 形所得者。 2.如申请专利范围第1项之研磨物,其中,上述乾燥 物系藉由喷雾乾燥法使上述水系分散元件乾燥者 。 3.如申请专利范围第1项之研磨物,其中上述研磨物 系板形状或圆盘形状。 4.如申请专利范围第3项之研磨物,其中,在上述研 磨部之下面,具备板形状或圆盘状之支持部。 5.如申请专利范围第1项之研磨物,其为使用于半导 体之研磨。 6.一种研磨物,其特征在于具备: 以附有研磨粒之复合粒子予以分散于基质材料而 含有之水系分散元件予以固化所成研磨部,该研磨 部系将(1)上述水系分散元件予以乾燥,使此乾燥物 成形,(2)使此乾燥物成形后进而予以乾燥,或者(3) 在乾燥之同时使成形所得者。 7.如申请专利范围第6项之研磨物,其中上述乾燥物 系藉由喷雾乾燥法使上述水系分散元件乾燥者。 8.如申请专利范围第6项之研磨物,其中,上述水系 分散元件,进而使基质材料及/或研磨粒予以分散 而含有者。 9.如申请专利范围第6项之研磨物,其中所谓基质材 料与研磨粒,系各电位为相反符号,该电位差 系5mV以上。 10.如申请专利范围第6项之研磨物,其中上述研磨 物系板形状或圆盘形状。 11.如申请专利范围第10项之研磨物,其中,在上述研 磨部之下面,具备板形状或圆盘状之支持部。 12.如申请专利范围第6项之研磨物,其系使用于半 导体之研磨。 13.一种研磨物,其特征在于具备: 以可交联的聚合物而成基质材料与研磨粒为各自 分散而含有之水系分散元件予以固化所成,且具有 交联构造之研磨部,该研磨部系将上述水系分散元 件予以乾燥形成此乾燥物,并使此乾燥物成形后进 而予以乾燥,或者在乾燥之同时使成形所得者。 14.如申请专利范围第13项之研磨物,其中上述乾燥 物系藉由喷雾乾燥法使上述水系分散元件乾燥者 。 15.如申请专利范围第13项之研磨物,其中上述研磨 物系板形状或圆盘形状。 16.如申请专利范围第15项之研磨物,其中,在上述研 磨部之下面,具备板形状或圆盘状之支持部 17.如申请专利范围第13项之研磨物,其系使用于半 导体之研磨。 18.一种研磨物,其特征在于: 系在可交联之聚合物而成之基质材料,附有研磨粒 之复合粒子被分散而含有之水系分散元件予以固 化所成,且具有交联构造之研磨部,该研磨部系将 上述水系分散元件予以乾燥形成此乾燥物,并使此 乾燥物成形后进而予以乾燥,或者在乾燥之同时使 成形所得者。 19.如申请专利范围第18项之研磨物,其中上述乾燥 物系藉由喷雾乾燥法使上述水系分散元件乾燥者 。 20.如申请专利范围第18项之研磨物,其中所谓基质 材料与研磨粒,系各电位为相反符号,该电位 之差系5mV以上者。 21.如申请专利范围第18项之研磨物,其中,上述研磨 物系板形状或圆盘形状。 22.如申请专利范围第21项之研磨物,其中,在上述研 磨部之下面,具备板形状或圆盘状之支持部。 23.如申请专利范围第18项之研磨物,其系使用于半 导体之研磨。