发明名称 鳞片状铜粉、该鳞片状铜粉之制造方法,以及使用该鳞片状铜粉之导电性膏状物
摘要 本发明之主要目的系提供一种导电性膏状物用之鳞片状铜粉及其制造方法,其具有粉粒厚度薄、且可用以形成精密之电极或电路等之粉体特性。为了达到此目的,本发明提出一种鳞片状铜粉,系将铜粉之粉粒进行塑性变形以鳞片状化之鳞片状铜粉,其特征在于:以雷射绕射散射式粒径量测法所测得之重量累积粒径D50于10μm以下,利用依据雷射绕射散射式粒径量测法之重量累积粒径D10、D50、D90、与以雷射绕射散射式粒径量测法所测得之粒径分布之标准偏差SD所表示之SD/D50值于0.55以下,及D90/D10值于4.5以下。此鳞片状铜粉系利用具有微小粒径之介质珠,以高能量球磨机进行压缩,使其产生塑性变形,以形成鳞片状,藉由形成鳞片状可使其进行稳定的生产。
申请公布号 TWI236393 申请公布日期 2005.07.21
申请号 TW092125707 申请日期 2003.09.18
申请人 三井金属业股份有限公司 发明人 上贵彦;安成邦彦;吉丸克彦
分类号 B22F1/02;H01B1/22 主分类号 B22F1/02
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种鳞片状铜粉,将铜粉之粉粒进行塑性变形以 鳞片状化之鳞片状铜粉, 其特征在于: 以雷射绕射散射式粒径量测法所测得之重量累积 粒径D50于10m以下,利用依据雷射绕射散射式粒径 量测法之重量累积粒径D10、D50、D90,与以雷射绕射 散射式粒径量测法所测得之粒径分布之标准偏差 SD所表示之SD/D50値于0.55以下,及D90/D10値于4.5以下 。 2.如申请专利范围第1项所述之鳞片状铜粉,其中上 述粉粒之长径比(平均长径/平均厚度)为3~200。 3.如申请专利范围第1或2项所述之鳞片状铜粉,其 中依据雷射绕射散射式粒径量测法之重量累积粒 径D50与最大重量累积粒径Dmax之比値[Dmax]/[D50]为5 以下。 4.一种鳞片状铜粉,包括含量为70wt%以上之申请专 利范围第1项至第3项中任一项所述之鳞片状铜粉 。 5.一种鳞片状铜粉之制造方法,系申请专利范围第1 项至第4项中任一项所述之鳞片状铜粉之制造方法 , 其特征在于: 对呈凝聚状态之铜粉进行造粒处理,并采用完成造 粒处理、内聚度于1.6以下、分散性良好之铜粉之 粉粒; 对上述铜粉之粉粒,利用粒径为0.5 mm以下之介质珠 ,以高能量球磨机进行压缩,使其产生塑性变形,以 将其鳞片状化。 6.如申请专利范围第5项所述之鳞片状铜粉之制造 方法,其中介质珠之比重为3.0g/cm3~6.5g/cm3。 7.一种导电性膏状物,以申请专利范围第1项至第4 项中任一项所述之鳞片状铜粉所制造。 图式简单说明: 第1图为以扫描式电子显微镜观察本发明之鳞片状 铜粉之影像;及 第2图为以扫描式电子显微镜观察习知鳞片状铜粉 之影像,用以与本发明之鳞片状铜粉作比对。
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