METHOD FOR THE PRODUCTION A NANOELEMENT FIELD EFFECT TRANSISTOR, NANOELEMENT-FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SURROUNDED GATE STRUCTURE

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors, einen Nanoelement-Feldeffekttransistor und eine Nanoelement-Anordnung. Gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines Nanoelement-Feldeffekttransistors wird ein Nanoelement gebildet, ein erster und ein zweiter Source-/Drain-Bereich mit dem Nanoelements gekoppelt, ein Oberflächenbereich eines Substrats derart entfernt, dass ein Bereich des Nanoelements freigelegt wird, und eine Gate-isolierende Struktur und eine Gate-Struktur das Nanoelement vollumfänglich bedeckend gebildet.