| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050073690(A) |
申请公布日期 |
2005.07.18 |
| 申请号 |
KR20040001531 |
申请日期 |
2004.01.09 |
| 申请人 |
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. |
发明人 |
PARK, JUNG GOO |
| 分类号 |
H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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