| 摘要 |
本发明系关于一种基板处理装置及其清洗方法。本发明的目的系在于：抑制由于反应生成物附着在化学气相成长装置等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜厚度均匀性变差。在反应室101的内部设置有兼作成膜用气体淋浴器的上部电极103。上部电极103由挡板104和平面板105构成。其中，挡板104具有分散导入反应室101内的气体的孔104a，平面板105具有更进一步地分散被挡板104分散的气体的孔105a。在进行反应生成物的清洗时，藉着使用机构105b使两板之间的间隔变大并在两板之间施加高频电压，来产生由清洗气体113构成的电浆114。 |
