氧化方法

摘要

本发明系提供一种可使膜厚极薄之氧化膜于不使用触媒等且膜厚控制性良好之状态下成膜之成膜方法。一种氧化方法，其于可形成真空之处理容器4内导入氢及氧，使两种气体燃烧产生水蒸汽，藉由该水蒸汽氧化处理被处理体之表面，其中将上述处理容器内之制程压力设为2000Pa(15 Torr)以上。藉此，使赋予氧化之氧化物种自氢或氧之活性物种向水蒸气迁移，即使于形成厚度极薄例如2nm左右之薄膜之情形时，亦可使该膜厚之控制性提高。