金属接触结构与其制造方法

摘要

本发明提供一种具有金属接触的半导体元件。在较佳的实施例之中，提供一金属接触穿过内层介电层与金属结构，例如电晶体的金属闸极作电性接触。在金属接触与金属结构之间提供一导电层。此导电层提供一个或多个功能以作为阻障层、连结层或蚀刻终止层。此导电层较佳为一元素金属、金属合金、金属氮化物、金属氧化物或由以上材质所形成的混合物。在另一个实施例之中，此导电层由多晶矽所组成。