半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体晶圆，其系藉由研磨其背侧(相对于形成有多数个元件且进一步形成金属柱之侧边)而薄化至预定厚度，而后一由具有接近该半导体晶圆之线性热膨胀系数之金属所制成的金属层系形成在该经研磨的侧边。再者，该半导体晶圆系以树脂加以密封，金属突起物系黏结至该金属柱(阻挡金属层)之顶端，而后该半导体晶圆系分割成各别的半导体元件。矽系使用作为用于该半导体晶圆之材料，而钨与钼系使用作为构成该金属层之金属。