矽化金属闸极电晶体及其制造方法

摘要

一种闸极和升高源／汲区域以分开的步骤完全矽化，以避免退化的电阻和接面漏电流之方法。形成闸极介电层、闸极以及间隙壁覆盖在例如由Si、SiGe及SiGeC所构成而位于埋藏绝缘层上的半导体层。以磊晶成长升高的源／汲区域于间隙壁与隔离区之间，当升高的源／汲区域被第一金属层覆盖时，闸极被罩幕层保护，第一回火提供完全矽化之源／汲区。在底材上形成介电堆叠层，并将其平坦化使其与间隙壁顶端同平面，移除罩幕层并沉积第二金属层，进行第二回火步骤以产生完全矽化之闸极。本发明也提出绝缘层上覆矽电晶体，具有矽化升高源／汲区域及完全矽化而可以选择是否凹陷的闸极。