具有高介电常数闸极介电层之半导体元件及其制造方法

摘要

本发明系关于一种具有高介电常数闸极介电层之半导体元件及其制造方法，其结构包括：一半导体台地，位于一平整之半导体基底上；一高介电常数闸极介电层，位于上述半导体台地上；以及一闸极导电层，位于上述高介电常数闸极介电层上，而上述半导体台地与半导体基底交接处可为一圆滑化之边角或一正交化之边角。