制造快闪记忆体单元之方法

摘要

本发明揭示一种制造快闪记忆体单元之方法。一种结构，其中藉由一闸罩幕制程及一蚀刻制程而形成堆叠之一浮闸，一ONO介电膜，及一控制闸。执行一快速热硝化制程后，执行一再氧化制程。因此，闸蚀刻制程期间中断之矽(Si)悬空键藉由一快速热硝化制程而成为一矽氮(Si–N)键结构。因此，可抑制一再氧化制程期间在一ONO介电膜一侧中发生之不正常氧化，以防止ONO介电膜之微笑现象。