| 摘要 |
本发明揭示利用反及型(NAND–型)快闪记忆体中之唯读记忆体(ROM)区块以用于保存字线通过偏压之方法以及装置。用于保存字线通过偏压之方法包括一步骤，其用以在通过电晶体之操作前关闭一预充电电路之预充电电晶体，该操作用于将一所选字线预充电，藉由从ROM区块分离输出一传输至一群组存取信号产生电路之程式预充电控制信号及一传输至一区块字线之程式预充电控制信号，该电路用以输出一群组存取信号，及同步化在一同步电路中之多个信号。因此，可避免在NAND–型快闪记忆体之程式及读取操作中之时间失配，及预充电至该所选区块字线之预设电压可精确地输入一特定单元及保存。 |
