| 摘要 |
一种用于电浆处理系统中穿过半导体基材上的指定层而蚀刻特征的方法。该方法包括将基材置于该电浆处理系统的电浆加工室中。该方法也包括使蚀刻剂气体混合物流入电浆加工室内，配置蚀刻剂气体混合物以蚀刻指定层。该方法附带地包括以蚀刻剂来源气撞击电浆。再者，该方法包括至少局部地穿过指定层而蚀刻该特征，同时对该基材施加偏压RF讯号。偏压RF讯号具有介于约27MHz与约75MHZ之间的偏压RF频率及偏压RF有功部分，该RF有功部分系经配置以配合比预定选择性阈更高的蚀刻选择性使蚀刻特征被蚀刻至基材的第二层，或经配置而根据偏压RF频率时的预定蚀刻速率参数及蚀刻外廓参数蚀刻特征。 |
