闭合型晶胞沟渠式金属氧化物半导体场效电晶体

摘要

本发明的实施例提供一经改良之闭合型晶胞沟渠式金属氧化物半导体场效电晶体(TMOSFET)。闭合型晶胞TMOSFET系包含一汲部、一配置于汲区上方之体部区、一配置于体部区中之闸区、一闸绝缘区、复数个配置在紧邻于闸绝缘区周边的体部区表面上之源区。闸区的一第一部及闸氧化物区系形成为平行长形结构。闸区的一第二部及氧化物区形成为对于平行呈法向(normal–to–parallel)长形结构。闸及汲重叠区的一部分系被体部区选择性阻挡，导致较低之整体的闸至汲电容。