硷性的后电浆蚀刻/灰残留物之除去剂及含金属卤化物腐蚀抑制剂之光阻剥离组合物

摘要

本发明系提供一种可用于微电子工业以藉由除去光阻残留物及其他不想要的污染物而剥离或清理半导体晶圆基板之硷性组合物。该等组合物包含(a)一或多种硷及(b)一或多种下式抑制金属腐蚀之金属卤化物：093133035-p01.bmp其中M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru及Sb之群的金属；X是选自F、C1、Br及I之卤化物；W是选自H、硷金属或硷土金属及不含金属离子之氢氧化物硷部分；视金属卤化物而定，y是一从4至6之数字；z为数字1、2或3。