抗接触蚀刻间隔件

摘要

一种制造半导体装置(10)之装置和方法，包括下列步骤：在半导体基板(12)上形成闸极电介质层(20)；在闸极电介质层(20)上形成闸极电极(18)，其中该闸极电介质层(20)界定插置于形成在半导体基板(12)之主动区域(14)内之源极／汲极区域(16c／16b)间之通道(22)；以及于该闸极电极(18)之侧壁上以及该闸极电介质层(20)之侧壁上形成抗接触蚀刻间隔件(24)，该抗接触蚀刻间隔件(24)为非氧化矽和非氮化物材料所制成。