由羰基金属前驱物沈积金属层之方法

摘要

一种藉着热化学汽相沉积(TCVD，thermal chemical vapor deposition)制程，在半导体基板上沉积金属层的方法。此TCVD制程利用高流速之稀释制程气体来沉积金属层，该制程气体包含一羰基金属前驱物。在本发明一实施例中，羰基金属前驱物可选自于W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6、与Ru3(CO)12中之至少一者。在本发明另一实施例中，提供一种在基板温度约410℃与槽压力约200mTorr的条件下，由一包含W(CO)6前驱物之制程气体沉积钨层的方法。