发明名称 | 半导体晶圆之高压处理室 | ||
摘要 | 具有较佳密封方式的处理室。此处理室包含一下元件、一上元件以及一密封强化器。密封强化器用以使上元件相对于下元件并维持处理空间。密封强化器更用以在密封强化腔室中产生密封压力,密封强化腔室随着处理空间中产生的处理压力呈非线性的改变。在一实施例中,密封强化器用以使一非负净力保持在一临界值之上并最小化此净力,此非负净力系相对于上元件和下元件其中之一。此净方可用恒等式P1*A1–P2*A2来表示,其中P1相等于密封压力、P2相等于处理压力、A1相等于密封强化腔室的横剖面面积、而A2相等于处理空间的横剖面面积。 | ||
申请公布号 | TW200523990 | 申请公布日期 | 2005.07.16 |
申请号 | TW093130116 | 申请日期 | 2004.10.05 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 威廉D 琼斯 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |