闸流体构造及其制造方法

摘要

本发明揭露一种种闸流体构造及其制造方法。为减少接面电容，本发明降低基板之掺杂浓度，但同时亦增加崩溃电压或切入电压(switchin gvoltage)。为解决此一矛盾，本发明另在阳极增加一层中度掺杂之杂质扩散层，其掺杂浓度较基板之掺杂浓度高，以降低切入电压。而得低接面电容及所望之切入电压之闸流体。