| 摘要 |
本发明由无添加之GaN表体结晶组成之厚度约为150μm的半导体结晶基板102背面侧，系由通过乾式蚀刻所精加工的平坦的被研磨面102a；及通过乾式蚀刻所精加工的锥形的被研削面102b所构成。在GaN组成的膜厚约为10nm的n型包覆层104(低载子浓度层)上形成有紫外线发光之MQW构造的活性层105，其交错合计叠层5层之膜厚约为2nm之Al0.005In0.045Ga0.95N组成的井层51及膜厚约为18nm之Al0.12Ga0.88N组成的障壁层52。另外，在形成负电极(n电极c)于半导体基板a之被研磨面的电极形成步骤前，乾式蚀刻该被研磨面。 |
