| 摘要 |
本发明系提供一种绝缘体薄膜，其系藉由降低基板与电极界面之固定电荷，并在不使界面能阶差增大的情况下抑制硼穿透，而可以形成无Vth偏移与迁移率劣化之良好之MOSFET。其解决方法系使用原子层蒸镀法在基板100上形成薄膜之绝缘体薄膜102之制造方法，其特征在于包含：在前述基板100之处理表面形成矽原子层，并在前述矽原子层上形成氧原子层之第1工序；以及在前述基板100之处理表面上形成金属原子层，并在前述金属原子层上形成氧原子层之第2工序；藉由控制前述第1工序与前述第2工序之实施次数，而控制前述绝缘体薄膜102中之前述金属原子之浓度。 |
