改善SiCOH介电层界面强度的结构及其制作方法STRUCTURES WITH IMPROVED INTERFACIAL STRENGTH OF SiCOH DIELECTRICS AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

摘要

本发明提供一种半导体元件结构及其制作方法，包含一基板，此基板具有一第一上层、一第二薄转换层位于该第一上层之上、一第三层位于该转换层之上，其中第二薄转换层提供第一与第三层之结构之间强的黏着与内聚强度。此外，本发明提供一种半导体元件结构及其制作方法，包含一绝缘结构，该绝缘结构包含多个介电层及导电层，系分别地配置转换接合层，以加强不同层之间的界面强度。而且，本发明提供一种电子元件结构，包含在后段制程(BEOL)之线路结构中作为层内(intralevel)或层间(interlevel)介电层的绝缘与导电材料层，其中，利用一薄中间转换接合层，以加强不同对之介电薄膜间的界面强度。