具有增进式程式化以及抹除效能之非及闸快闪记忆体,以及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种“反及”闸快闪记忆单元阵列及其制程，其中各各控制闸极及各浮接闸极系成对地被配置在介于一位元线扩散区与一共同源极扩散区间之各列中，且各选择闸极系在每一对堆叠闸极的两侧上。每一堆叠对中之该等闸极系相互自行对准。