| 摘要 |
本发明揭示一种增强或延长一离子源之使用寿命之方法及装置，其系藉由具有利用反应卤素气体以供原地蚀刻清洗该离子源及一撷取电极之设置，以及藉由具有延长清洗间的使用持续时间之特征而达成。后者包含精确的蒸气流量控制、该离子束光学元件之精确聚焦、与该撷取电极之热控制，其防止沈积物的形成或防止电极破坏。一包括用以产生用于半导体晶圆处理的掺杂离子之一离子源的装置与一远端电浆源相耦合，该远端电浆源为了清洗该第一杂子源与该撷取电极中的沈积物之目的而递送F离子或C1离子至该第一离子源。当流出如昇华蒸气源之可凝结供给气体时，该等方法与装置致动较长的仪器可用时间，并且尤其可应用于所谓的冷离子源。本发明说明之方法及装置可在以下情况下致动较长的仪器可用时间：当将十硼烷与十八硼烷用作供给材料时，以及当采用蒸发元素砷与磷时，并且该等方法及装置被用以增强离子布植期间的波束稳定性。 |
