发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚,将激光照射到该非晶质硅膜,然后,测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布,根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值,计算出适当的激光照射能量密度值,然后,测量下一非晶质硅膜的平均膜厚,根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值,将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样,通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量,从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅,结果,可在大面积形成多晶硅TFT。
申请公布号 CN1638017A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200410058669.2 申请日期 2004.07.27
申请人 株式会社日立显示器 发明人 山口裕功;尾形洁;田村太久夫;后藤顺;斋藤雅和;武田一男
分类号 H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;G02F1/136 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 许海兰
主权项 1.一种显示装置的制造方法,具有:将光照射到形成于基板上的前驱体膜形成多晶膜的工序、测定上述多晶膜的面内粒径分布的工序、及调整上述光照射的能量密度的工序;其特征在于:根据上述面内粒径分布测定结果判定上述能量密度是适当还是过剩或不足,根据该判定结果调整上述能量密度。
地址 日本千叶县