| 发明名称 | 固态图像拾取装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种固态图象拾取装置(10)，其具有这样的配置，第二导电型半导体区(14)形成在光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区(13)的表面上，由绝缘层形成的浅槽隔离层(20)埋入到形成在半导体衬底(11)上的沟道中，浅槽隔离层(20)由上宽部分(21)和下窄部分(22)组成，第二导电型半导体区(23)形成在浅槽隔离层(20)的下窄部分(22)的周围。固态图象拾取装置可以抑制暗电流和白点的出现，可以产生高质量的图象，并且可以充分地维持可由光接收传感器部分处理的足够大的电荷量。 | ||
| 申请公布号 | CN1638134A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410082016.8 | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 神户秀夫 |
| 分类号 | H01L27/14;H04N5/335 | 主分类号 | H01L27/14 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种固态图像拾取装置，包括：传感器部分，其包括第一导电型电荷积累区和形成在第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区；和隔离部分，其设置在形成于半导体衬底上的沟道内，其中，所述隔离部分由上宽部分和下窄部分组成，第二导电型半导体区形成在所述隔离部分的所述下窄部分周围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||