| 发明名称 | 改善热载子注入效应的方法 | ||
| 摘要 | 一种改善热载子注入效应(Hot Carrier InjectionEffect；HCI Effect)的方法，包括步骤：提供一基材；以及形成一焊垫层位于部分的该基材上，其中该焊垫层包括所需的多个电路图案以及多个空置图案(Dummy Patterns)，且该焊垫层具有一图案密度。该方法在半导体的铜工艺中，于蚀刻铝焊垫(AlPad)时，设置多个空置图案(Dummy Patterns)，以缩短铝焊垫的蚀刻时间。因此，可降低蚀刻的等离子体对元件的伤害，进而可延长元件的热载子注入的退化时间。 | ||
| 申请公布号 | CN1638048A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410071331.0 | 申请日期 | 2004.07.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 简财源;忻斌一 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种改善热载子注入效应的方法，其中包括：提供一基材；以及形成一焊垫层位于部分的该基材上，其中该焊垫层至少包括所需的多个电路图案以及多个空置图案，且该焊垫层具有一图案密度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||