低缺陷氮化物半导体薄膜及其生长方法

摘要

本发明涉及低缺陷氮化物半导体薄膜及其生长方法。依据本发明，低缺陷密度氮化物半导体薄膜的制备可通过在衬底上形成沟槽，在衬底整个表面上顺序形成缓冲层和第一氮化物半导体薄膜，蚀刻第一氮化物半导体薄膜的高缺陷密度区域，然后横向生长第二氮化物半导体薄膜，从而得到高结晶氮化物半导体薄膜。因此，本发明的优点在于，可以制备高效率、大功率和高可靠性的光学设备或电子设备，且通过利用获得的高结晶氮化物半导体薄膜，也可获得高通过量。

主权项

1、一种低缺陷氮化物半导体薄膜的生长方法，包括：第一步，在具有条形沟槽周期性形成其上的衬底的整个表面上形成缓冲层；第二步，在缓冲层上生长第一氮化物半导体薄膜；第三步，在第一氮化物半导体薄膜上形成绝缘掩模图形，以使在条形沟槽形成的衬底区域上生长的第一氮化物半导体薄膜被遮蔽，而在没有条形沟槽形成的衬底区域上生长的第一氮化物半导体薄膜被暴露；第四步，蚀刻通过绝缘掩模图形被暴露的第一氮化物半导体薄膜的区域，形成第一氮化物半导体薄膜的突起周期性条形图形，并且从第一氮化物半导体薄膜除去绝缘掩模图形；以及第五步，利用氮化物半导体薄膜图形横向生长第二氮化物半导体薄膜。